2017年 大学院理工学研究科 シラバス - 物理学専攻
設置情報
科目名 | 固体電子論Ⅱ | ||
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設置学科 | 物理学専攻 | 学年 | 1年 |
担当者 | 高野 良紀 | 履修期 | 後期 |
単位 | 2 | 曜日時限 | 木曜2 |
校舎 | 駿河台 | 時間割CD | M42C |
クラス |
概要
学修到達目標 | 半導体のエネルギーバンド構造および半導体中の不純物状態について学ぶ。 |
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授業形態及び 授業方法 |
主に板書による講義形式。パワーポイントを利用する場合もある。 |
準備学習(予習・ 復習等)の内容・ 受講のための 予備知識 |
学部レベルの固体物理学および量子力学の知識があることが望ましい。特に予習は必要としないが、講義後には次回の講義に備えて十分に復習しておくことが望まれる。 |
授業計画
第1回 | 基礎的な事柄の確認(自由電子論。空格子近似。) |
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第2回 | k・p摂動法1(非縮退の場合。) |
第3回 | k・p摂動法2(縮退の場合。) |
第4回 | スピン軌道相互作用1(角運動量の合成。クレブシューゴルドン係数。) |
第5回 | スピン軌道相互作用2(スピン軌道相互作用を考慮したハミルトニアンの解法。) |
第6回 | 歪んだエネルギーバンド |
第7回 | 2重群1(一般論。) |
第8回 | 2重群2(O群への応用。IV族半導体。) |
第9回 | 代表的な半導体のエネルギーバンド構造(バンドパラメーター。) |
第10回 | 真性キャリア密度(質量作用の法則。) |
第11回 | ドナーとアクセプター |
第12回 | ドナーとアクセプターにおける分布関数 |
第13回 | ドナーおよびアクセプターに対する水素原子モデル(包絡線近似。) |
第14回 | 有効質量方程式 |
第15回 | 不純物状態の対称性(多谷半導体。) |
その他
教科書 |
特に指定しない。
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参考資料コメント 及び 資料(技術論文等) |
特に指定しない。
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成績評価の方法 及び基準 |
レポートによる評価。 |
質問への対応 | オフィスアワー以外でも在室中であればいつでも可。 |
研究室又は 連絡先 |
7号館711D 室 |
オフィスアワー |
木曜 駿河台 12:00 ~ 13:00
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学生への メッセージ |