2016年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
| 科目名 | 半導体デバイス工学 | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 3年 |
| 担当者 | 高橋 芳浩 | 履修期 | 前期 |
| 単位 | 2 | 曜日時限 | 火曜3 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J23D |
| クラス | |||
概要
| 学修到達目標 | 半導体材料の基礎的な物性およびpn接合，MIS構造などの基礎的なデバイス構造を通して，半導体中のキャリアの振る舞いをいかに制御し，デバイス特性を実現するかを学ぶ．また電子デバイスに関連した専門用語についての知見を得る． |
|---|---|
| 授業形態及び 授業方法 |
教科書を用いた講議を行い，適宜演習を行うことにより理解を深める． |
| 履修条件 | 電磁気学，物性工学の基礎的な知識が必要． |
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準備学習（予習・ 復習等）の内容 |
毎回の講義内容を復習し，かつ，シラバス記載の「授業計画」の内容を確認し，あらかじめ教科書を読んでおくこと．また，宿題が課された際には，必ず次回の講義開始前までに提出すること． |
授業計画
| 第1回 | 半導体デバイスの概要 |
|---|---|
| 第2回 | 半導体の基礎(1)： 半導体材料／真性半導体と不純物半導体 |
| 第3回 | 半導体の基礎(2)： フェルミエネルギー／キャリア密度 |
| 第4回 | 半導体における電気伝導(1)： ドリフト電流／拡散電流 |
| 第5回 | 半導体における電気伝導(2)： キャリアの生成と消滅／電流連続の式／拡散方程式 |
| 第6回 | pnダイオード(1)： pn接合の整流性／拡散電位／理想特性 |
| 第7回 | pnダイオード(2)： 再結合電流／生成電流／直列抵抗効果／高注入状態 |
| 第8回 | pnダイオード(3)： 空乏層の解析（階段接合・傾斜接合）／交流特性 |
| 第9回 | バイポーラトランジスタ(1)： 基本構造と動作原理／npn, pnpトランジスタ |
| 第10回 | バイポーラトランジスタ(2)： 直流特性／キャリア分布 |
| 第11回 | バイポーラトランジスタ(3)： スイッチング特性 |
| 第12回 | MIS構造(1)： 基本構造と動作原理／半導体表面電位 |
| 第13回 | MIS構造(2)： 容量－電圧特性 |
| 第14回 | MOS型電界効果トランジスタ： 基本構造と動作原理／理想特性 |
| 第15回 | 試験およびその解説 |
その他
| 教科書 |
松波弘之，吉本昌広 『半導体デバイス』 series電気・電子・情報系7 共立出版 2004年 第5版
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|---|---|
| 参考書 |
古川静二郎 『半導体デバイス』 コロナ社 1982年 第1版
大西一功・藤田実 『絵ときでわかる 半導体デバイス』 オーム社 2002年 第1版
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| 成績評価の方法 及び基準 |
試験（理解度確認期間）および平常点（演習・宿題）により評価． |
| 質問への対応 | 随時，研究室にて対応． |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎425室（高橋研究室） |
| オフィスアワー |
火曜 船橋 12:00 ～ 13:00
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| 学生への メッセージ |
半導体素子は身の回りにある携帯電話やDVD，CDプレーヤ等，あらゆるところで使われている．半導体素子の仕組みはどのようになっているか，半導体と絶縁物，導体はどう違うのか等々を考えながら勉強して欲しい． |