2017年 理工学部 シラバス - 電子工学科
設置情報
| 科目名 | 集積回路工学 | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学科 | 学年 | 4年 |
| 担当者 | 高橋 芳浩 | 履修期 | 前期 |
| 単位 | 2 | 曜日時限 | 金曜2 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J52G |
| クラス | |||
| 学科ポリシー | ディプロマ・ポリシー【DP】 カリキュラム・ポリシー【CP】 | ||
| 履修系統図 | 履修系統図の確認 | ||
概要
| 学修到達目標 | 半導体集積回路は，あらゆる産業に欠くことのできない電子部品である．本講義を通して，現在主流のMOS型集積回路の構造および動作原理，また現状の問題点などについて理解することができる． |
|---|---|
| 授業形態及び 授業方法 |
板書による講義形式で実施する．また必要に応じて演習を行い理解を深める． |
| 履修条件 | 半導体デバイス工学，半導体物性工学，電子回路の内容を理解している必要がある． |
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準備学習（予習・ 復習等）の内容 |
毎回の講義内容を復習し，かつ，シラバス記載の「授業計画」の内容を確認し，あらかじめ教科書を読んでおくこと． |
授業計画
| 第1回 | ガイダンス，LSIの歴史 |
|---|---|
| 第2回 | 半導体の基礎（キャリア密度，移動度，抵抗率，pn接合） |
| 第3回 | MOS構造(1) しきい値電圧 |
| 第4回 | MOS構造(2) 容量特性 |
| 第5回 | MOS型電界効果トランジスタ(1) 基本特性 |
| 第6回 | MOS型電界効果トランジスタ(2) サブスレッショルド特性，基板電圧 |
| 第7回 | MOS型電界効果トランジスタ(3) しきい値電圧制御，ショートチャネル効果 |
| 第8回 | CMOSインバータ(1) 直流特性 |
| 第9回 | CMOSインバータ(2) スイッチング特性 |
| 第10回 | MOS ICの構成要素 抵抗，容量，インダクタンス |
| 第11回 | MOS ICの作製技術 メタルゲートプロセス，シリコンゲートプロセス |
| 第12回 | CMOSロジック回路 |
| 第13回 | CMOSメモリ DRAM, SRAM, 不揮発性メモリ |
| 第14回 | 先端CMOS技術 |
| 第15回 | 平常試験およびその解説 |
その他
| 教科書 |
田丸啓吉・野澤博 著 『集積回路工学』 series電気・電子・情報系3 共立出版 1999年 第1版
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| 参考書 |
松波弘之，吉本昌広 著 『半導体デバイス』 series電気・電子・情報系7 共立出版 2000年 第1版
永田謙，柳井久義 共著 『新版 集積回路工学 (1), (2) 』 大学講義シリーズ コロナ社 2005年 第1版
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| 成績評価の方法 及び基準 |
平常試験（80%）および演習・宿題などの平常点（20%）により評価． |
| 質問への対応 | 適宜，研究室にて対応． |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎425号室（高橋研究室）／takahashi.yoshihiro@nihon-u.ac.jp |
| オフィスアワー |
火曜 船橋 12:00 ~ 13:00
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| 学生への メッセージ |