2017年 大学院理工学研究科 シラバス - 電子工学専攻
設置情報
| 科目名 | 電子材料特別研究 | ||
|---|---|---|---|
| 設置学科 | 電子工学専攻 | 学年 | 2年 |
| 担当者 | 高橋 芳浩 | 履修期 | 年間 |
| 単位 | 6 | 曜日時限 | 土曜6 |
| 校舎 | 船橋 | 時間割CD | J66E |
| クラス | |||
概要
| 研究テーマ 及び研究領域 |
「半導体物性工学」および「半導体デバイス工学」 デバイス作製プロセスの検討，宇宙用耐放射線性デバイスの検討，デバイスシミュレーションによる特性予測，シリコン系発光デバイスの検討 |
|---|---|
| 学修到達目標 | 半導体材料の物性・デバイスの物理・製造プロセス・応用について深く取り組み，電子工学の専門家としての実力を養う．研究の遂行を通して問題解決能力を養い，プレゼンテーションやディスカッションを通して自らの考えを主張する能力を修得することができる． |
| 授業形態及び 授業方法 |
各自の研究テーマに沿った目標に対して研究を遂行する．進捗にあわせて研究討論，輪講，学会発表などを行う．これらの成果を修士論文としてまとめる． |
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準備学習（予習・ 復習等）の内容・ 受講のための 予備知識 |
半導体工学の基礎的内容を理解していること． |
その他
| 成績評価の方法 及び基準 |
研究の進め方，実施方法，検討，発表について総合的に評価する． |
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| 質問への対応 | 随時，研究室にて行う． |
| 研究室又は 連絡先 |
船橋校舎4号館425室，takahashi.yoshihiro@nihon-u.ac.jp |
| オフィスアワー |
火曜 船橋 12:00 ~ 13:00
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| 学生への メッセージ |