2020年 大学院理工学研究科 シラバス - 電子工学専攻
設置情報
科目名 | 電子材料特論Ⅱ | ||
---|---|---|---|
設置学科 | 電子工学専攻 | 学年 | 1年 |
担当者 | 山本 寛 | 履修期 | 後期 |
単位 | 2 | 曜日時限 | 木曜2 |
校舎 | 船橋 | 時間割CD | J42B |
クラス |
概要
学修到達目標 | 近年の大きな技術的潮流である「ナノテクノロジー」を発展させる上で、量子工学の視点に立ち、電子材料のプロセスに精通し、創造的アプローチを切り拓く能力を備えた人材が求められている. そうした能力を実践的に鍛えることを目的とし、先端電子材料デバイスに関する研究を取り上げてケーススタディを行いながら、その着想の妙と新規デバイス開発の醍醐味を味わえる能力を育成することを目指す. |
---|---|
授業形態及び 授業方法 |
本講義では、ナノテクノロジーの視点に立ち、先端的エレクトロニクスデバイス分野の技術動向の理解を深めることを目指す. そのための授業方法として、現在受講者が進めている研究に深く関係する分野に着目し、その研究開発の歴史を踏まえつつ、自らの研究の目的と意義を明らかにする発表、討論の場を設ける。そこでの質疑応答ならびにアドバイスを受けながら、より実践的に本講義の趣旨を体得する. |
準備学習(予習・ 復習等)の内容・ 受講のための 予備知識 |
学部に設置された、電子物性あるいは半導体に関する科目を修得していること. また、電子材料特論Iを受講していることが望ましい. |
授業計画
第1回 | オリエンテーション 序論:ナノテクノロジーの観点に立ち、先端的電子材料デバイス研究の動向と展望に関して概説し、本講義の意義と目的を明らかにする. |
---|---|
第2回 | ナノスケール半導体材料:半導体分野におけるナノテクノロジーに着目し、過去ほぼ半世紀にわたる関連技術の開発の歴史を概観しながら、基礎概念と代表的デバイスの変遷を学び、今後の発展・展開について論じる. |
第3回 | ナノスケール半導体材料(発表と総合討論1):受講生の中から、半導体分野に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深める. |
第4回 | ナノスケール半導体材料(発表と総合討論2):受講生の中から、半導体分野に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深める. |
第5回 | ナノスケール無機系薄膜材料:金属系あるいは酸化物系薄膜プロセスに着目し、過去ほぼ半世紀にわたる関連技術の開発の歴史を概観しながら、基礎概念と代表的デバイス応用の変遷を学び、今後の発展・展開について論じる. |
第6回 | ナノスケール無機系材料(発表と総合討論1):受講生の中から、無機系材料薄膜作製法としての物理・化学的気相プロセス(真空蒸着法、スパッタ法、パルスレーザー堆積法、CVD法など)に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第7回 | ナノスケール無機系材料(発表と総合討論2):受講生の中から、無機系材料薄膜作製法としての物理・化学的気相プロセス(真空蒸着法、スパッタ法、パルスレーザー堆積法、CVD法など)に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第8回 | ナノスケール無機系材料(発表と総合討論3):受講生の中から、無機系材料薄膜作製法としての物理・化学的気相プロセス(真空蒸着法、スパッタ法、パルスレーザー堆積法、CVD法など)に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第9回 | ナノスケール有機系薄膜材料:有機分子薄膜プロセスに着目し、過去ほぼ半世紀にわたる関連技術の開発の歴史を概観しながら、基礎概念と有機分子エレクトロニクスデバイス応用の変遷を学び、今後の発展・展開について論じる. |
第10回 | ナノスケール有機系材料(発表と総合討論1):受講生の中から、有機系材料薄膜作製法としての物理・化学的気相プロセス(真空蒸着法、スパッタ法、パルスレーザー堆積法、CVD法など)やウェットプロセス(塗布法、印刷法など)に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第11回 | ナノスケール有機系材料(発表と総合討論2):受講生の中から、有機系材料薄膜作製法としての物理・化学的気相プロセス(真空蒸着法、スパッタ法、パルスレーザー堆積法、CVD法など)やウェットプロセス(塗布法、印刷法など)に関連する最近の研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第12回 | ナノスケール電子材料:ナノスケールの構造をベースとする電子デバイスあるいはシステムに関連して、過去ほぼ半世紀にわたる関連技術の開発の歴史を概観しながら、幅広いナノテクノロジー適用例について、基礎となる基本コンセプトや動作原理を学び、発展的応用展開の可能性を学ぶ. |
第13回 | ナノスケール電子材料(発表と総合討論1):受講生の中から、電子デバイスあるいはシステムに関連する研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第14回 | ナノスケール電子材料(発表と総合討論2):受講生の中から、電子デバイスあるいはシステムに関連する研究例を紹介してもらい、質疑応答を通して理解を深めつつ基礎を理解し、それぞれの特徴と応用例について学ぶ. |
第15回 | 総論:講義で行われたケーススタディを振り返り、先端的電子材料デバイス研究に関して総合的に討論しながら、ナノテクノロジーの先導性に関する知識と理解を実践的に深める. |
その他
教科書 |
独立行政法人 日本学術振興会 将来加工技術第136委員会 編著,「ハイテク五十年史に学ぶ将来加工技術」,日本工業出版,2019 年3月.
なお、このテキストについては授業期間中貸与するので購入の必要はない。
|
---|---|
参考資料コメント 及び 資料(技術論文等) |
|
成績評価の方法 及び基準 |
幾つかの指定テーマに関して提出されるレポートによって最大50%評価するが、加えて、各受講生による独自の発表内容あるいはディスカッションに取り組む姿勢など、平常の受講態度を最大50%まで評価する. |
質問への対応 | 講義室等で随時受け付けるが、メールによる質問も受ける。 |
研究室又は 連絡先 |
量子科学研究所LEBRA メールアドレス:yamamoto.hiroshi@nihon-u.ac.jp 電話番号:047-469-5493 |
オフィスアワー |
木曜 船橋 13:30 ~ 15:00 場所:船橋校舎 量子科学研究所LEBRA 担当:山本教授
|
学生への メッセージ |
本授業では、講師による講義と受講生の発表並びに参加者全員とのディスカッションを組み合わせた、双方向的な形式をとる. そのため、受講生からの積極的な発言が不可欠であることを十分に認識して授業に取り組んで欲しい. |