C:材料・物性部会

C-1
層状化合物LiMnAsの結晶成長
○平根大地（日大理工・学部・物理）
C-2
鉄酸化物ナノ構造の作成
○中谷健登（日大理工・学部・物理）
C-3
電解メッキ法による金ナノワイヤーの作製
○加藤宏朗（日大理工・学部・物理）
C-4
酸化ニッケルナノワイヤーを用いた抵抗変化メモリの作製
○濵田古乃美（日大理工・学部・物理）
C-5
陽極酸化ポーラスアルミナを用いた銀ナノワイヤーの作製
○田邊隆喜（日大理工・教員・物理）
C-6
パルスレーザー堆積法による成膜装置のターゲット移動機構の改良
○李キン偉龍（日大理工・学部・電子）
C-7
パルスレーザ堆積法を用いた低酸素分圧下における電子型強誘電体YbFe2O4薄膜の作製と結晶構造の評価
○平岡恭也・岡本卓也・李金偉龍・廣瀬一樹（日大理工・学部・電子）・岩田展幸・永田知子（日大理工・教員・電子）
C-8
パルスレーザー堆積法及びDC-RFマグネトロンスパッタリング法によるCr２O３薄膜の作製と結晶構造解析
○久保田幸也（日大理工・学部・電子）・平戸剛志（日大理工・院（前）・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）・有沢俊一・立木　実（物質・材料研究機構）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
C-9
急速熱処理c軸配向L10- FePt合金形成に用いるSi基板上MｇO下地薄膜作製に向けた成膜の検討
○原田裕助（日大理工・学部・電子）・苗木俊樹・三吉啓介（日大理工・院（前）・電子）・塚本　新（日大理工・教員・電子）
C-10
磁化反転磁界分散低減に向けたコア(FePt)シェル(Fe)型粒子の作成検討
○山田泰成（日大理工・学部・電子）・三吉啓介・苗木俊樹（日大理工・院（前）・電子）・塚本　新（日大理工・教員・電子）
C-11
異なる磁化容易軸を有するL10- FePt粒子集団分布と合成磁化曲線形状の相関検討
○鴇　優一・三吉啓介（日大理工・院（前）・電子）・塚本　新（日大理工・教員・電子）
C-12
高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
○角田将紀・伊藤広起（日大理工・院（前）・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
C-13
光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすアニール効果
○李　一博（日大理工・院（前）・電子）・鈴木　黎（日大理工・学部・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
C-14
酸化温度が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
○安田光保・金山純一（日大理工・院（前）・電子）・中野敬介（日大理工・学部・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電気）
C-15
Sn拡散SiON膜のフォトルミネセンス特性 ーNH3アニール効果ー
○長谷川裕人・安部佳史（日大理工・院（前）・電子）・大竹　亮・高橋和希（日大理工・学部・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
C-16
真空蒸着法によって作製したSn添加シリコン酸化膜の発光特性評価
○安部桂史（日大理工・院（前）・電子）・髙橋和希（日大理工・学部・電子）・呉　　研・髙橋芳浩（日大理工・教員・電子）
C-17
シールドを微細加工した静電気力顕微鏡用センサの作製方法の検討
○倉金夏己・伊藤弘朗（日大理工・院（前）・電子）・政　秀彰（日大理工・学部・電子）・芦澤好人（日大理工・教員・電子）・東尾順平・上原利夫（トレック・ジャパン）・中川活二（日大理工・教員・電子）
C-18
金属触媒濃度を変化させた時の単層カーボンナノチューブ成長
○林　尚輝（日大理工・学部・電子）
C-19
高密度に面内配向した単層カーボンナノチューブ作製のための触媒金属担持方法の探索
○小川恭正・保延賢人（日大理工・学部・電子）・岩田展幸・永田知子（日大理工・教員・電子）
C-20
陽極酸化膜の界面準位密度に及ぼす低温熱処理効果
○伊藤広起・角田将紀（日大理工・院（前）・電子）・堅田卓弥・斎藤理紗（日大理工・学部・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
C-21
層状オキシプニクタイド(LaO)ZnAsのキャリアドープ効果
○岡田　篤・関　亮輔（日大理工・学部・物理）
C-22
層状オキシプニクタイド (LaO)1-xZnP のホールドープ効果
○曽根希萌（日大理工・院（前）・物理）
C-23
二段多重変動振幅荷重下のスポット溶接継手の疲労寿命特性
○池田義朋・石間　晴（日大理工・学部・機械）・石岡佑介（日大理工・院（前）・機械）・冨岡　昇・岡部顕史（日大理工・教員・機械）