C:材料・物性部会

C-1
フェリ磁性GdFeCoにおける超短パルス円偏光誘起磁化反転現象への磁気円二色性の寄与
○小暮真也（日大理工・院（前）・電子）・佐藤哲也（日大理工・院（後）・電子）・清水隆太郎（日大理工・院（前）・電子）・吉川大貴（日大理工・学部・子情）・塚本　新・伊藤彰義（日大理工・教員・子情）
C-2
GdFeCoにおける超短熱パルス磁化反転条件の組成依存性の観測
○吉川大貴（日大理工・学部・子情）・佐藤哲也（日大理工・院（後）・子情）・小暮真也・清水隆太郎（日大理工・院（前）・子情）・塚本　新・伊藤彰義（日大理工・教員・子情）
C-3
高アスペクト比磁気記録媒体作製用フラットL10-FePt連続膜の作製
○月岡　純（日大理工・学部・子情）・鈴木太巳・卯花竜也（日大理工・院（前）・電子）・塚本　新・伊藤彰義（日大理工・教員・子情）
C-4
多孔質SiO2ナノテンプレートによる自己集積ナノ-シリカ粒子の配列
○飯田勝敬（日大理工・学部・子情）・諏訪部雄大・藤井翔太（日大理工・院（前）・電子）・塚本　新・伊藤彰義（日大理工・教員・子情）
C-5
単層カーボンナノチューブ成長量の触媒粒子量依存性
○桑山　真（日大理工・学部・子情）・相良拓実（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸・山本　寛（日大理工・教員・子情）
C-6
単層カーボンナノチューブ成長のためのSiC基板ヒーターの設計と成長最適条件探索
○津田悠作（日大理工・学部・子情）・土肥智史（日大理工・院（前）・子情）・岩田展幸・山本　寛（日大理工・教員・子情）
C-7
LiNbO3基板上におけるCr2O3の作製
○中村拓未（日大理工・学部・子情）・黒田卓司（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸・山本　寛（日大理工・教員・子情）
C-8
負電圧印加した陽極酸化膜の電気的特性
○張　義淳・山崎雄大（日大理工・院（前）・電子）・柿沼真一・高橋芳浩（日大理工・学部・子情）
C-9
高圧水蒸気中での陽極酸化法におけるプロセス方法の検討
○山崎雄大・張　義淳（日大理工・院（前）・電子）・柿沼真一（日大理工・学部・子情）・高橋芳浩（日大理工・教員・子情）
C-10
Si基板上に面内配置されたSiO2/Sn膜のEL発光
○秋山和也・滝島正博（日大理工・院（前）・電子）・大谷　捷・遠山大地（日大理工・学部・子情）・高橋芳浩（日大理工・教員・子情）
C-11
PECVD-SiO2膜の電気的特性に及ぼすアニール効果
○古瀬達也・佐藤晃太郎（日大理工・院（前）・電子）・尾和瀬智成（日大理工・学部・子情）・長谷川洋介（日大理工・研究生・子情）・高橋芳浩（日大理工・教員・子情）
C-12
Sn-SiO2面内配置構造のPL特性
○滝島正博・秋山和也（日大理工・院（前）・電子）・大谷　捷・遠山大地（日大理工・学部・子情）・高橋芳浩（日大理工・教員・子情）
C-13
エッチング処理がポーラスアルミナに及ぼす影響
○谷本優輔（日大理工・学部・物理）・古屋沙絵子（日大理工・院（前）・物理）・渡辺忠孝・高野良紀・高瀬浩一（日大理工・教員・物理）
C-14
ディップコート法によって電極間に架橋したC60ウィスカー
○田上祐貴（日大理工・学部・子情）・粳田克矢（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸・山本　寛（日大理工・教員・子情）