第64回（令和2年度）
日本大学理工学部学術講演会講演概要

パルスレーザ堆積法によってc面サファイア基板上に作製したエピタキシャルYbFe₂O₄/Fe₃O₄積層膜の結晶構造評価および面内電気特性
○平岡恭也・寺地勇博（日大理工・院（前）・電子）・齋藤凌輔（日大理工・学部・電子）・岡本卓也（日大理工・院（前）・電子）・陳　　曦（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

パルスレーザ堆積法によるYttria-Stabilized Zirconia（YSZ）（111）基板を用いたYbFe₂O₄/Fe₃O₄積層膜の作製
○齋藤凌輔（日大理工・学部・電子）・平岡恭也・寺地勇博・岡本卓也（日大理工・院（前）・電子）・陳　　㬢（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

自由電子レーザ照射によるガラス内へのナノ構造生成の試み
○野平真義（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

半導体性カーボンナノチューブをチャネルとした電界効果型トランジスタの作製方法の探索
○山梨航平（日大理工・学部・電子）・小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

面内配向単層カーボンナノチューブ作製のためのスパッタ法による触媒微粒子/薄膜の作製条件探索
○山寺航平（日大理工・学部・電子）・小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・藤本佳奈（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

基板面に均一に単層カーボンナノチューブを作製するためのディップコート溶液濃度の探索
○藤本佳奈（日大理工・学部・電子）・小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・山寺航平（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

電極間を架橋する面内配向単層カーボンナノチューブの作製
○小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・藤本佳奈・山寺航平・山梨航平（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

強磁性/r-Cr₂O₃/Ca_0.96Ce_0.04MnO₃積層膜における電界印加による磁化曲線の制御
○久保田幸也・樫本広生（日大理工・院（前）・電子）・杉浦太一・中野椋太（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

パルスレーザー堆積法により成膜した[(CaFeO_x)n/（LaFeO₃）n]m人工超格子及び積層膜の磁気特性
○岡本卓也・平岡恭也・寺地勇博（日大理工・院（前）・電子）・陳　　㬢・齋藤凌輔（日大理工・学部・電気）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

パルスレーザー堆積法による高酸素分圧下でのCaFeO₃/LaFeO₃積層膜の作製
○陳　　曦（日大理工・学部・電子）・岡本卓也・平岡恭也・寺地勇博（日大理工・院（前）・電子）・斎藤凌輔（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）

トンネルFETにおけるI_D-V_D立ち上がり特性改善に関する検討
○三田梓郎・山口直弥（日大理工・院（前）・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）

ヘテロ接合TFETを用いたCMOS回路に関する検討
○山口直弥・三田梓郎（日大理工・院（前）・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）

高圧水蒸気中での陽極酸化法におけるプロセス電流評価
○堅田卓弥（日大理工・院（前）・電子）・八ッ橋拓真（日大理工・学部・電子）・呉　　研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）

SJ-MOSFETのスイッチング特性
○中野敬介（日大理工・院（前）・電子）・高橋芳浩・呉　　研（日大理工・教員・電子）

Pb置換したBiS₂系超伝導体La（O，F）BiS₂の合成と物性評価
○福井崇人（日大理工・院（前）・物理）・出村郷志・高野良紀（日大理工・教員・物理）

遷移金属トリカルコゲナイドZrTe₃へのNb置換効果
○森山裕行（日大理工・院（前）・物理）・出村郷志（日大理工・教員・物理）

BiS₂系超伝導体La（O,F）BiS₂への元素置換効果
○出村郷志（日大理工・教員・物理）・坂田英明（東京理科大学理学部）