C:材料・物性部会
DC-RFマグネトロンスパッタリング法によるNi-Cu合金の(111)面配向化とグラフェン成長
○鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）・竹原広樹（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）・竹原広樹（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
パルスレーザ堆積法を用いてYttria-Stabilized Zirconia(YSZ) (111)基板上に作製したYbFe2O4薄膜の結晶構造
○寺地勇博（日大理工・学部・電子）
○寺地勇博（日大理工・学部・電子）
YAlO3(001)基板上でのr面配向Cr2O3/Ca0.96Ce0.04MnO3積層膜の作製および評価
○樫本広生（日大理工・学部・電子）・久保田幸也（日大理工・院（前）・電子）・舘野友優・佐藤 建（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○樫本広生（日大理工・学部・電子）・久保田幸也（日大理工・院（前）・電子）・舘野友優・佐藤 建（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
液相エピタキシャル法で成膜されたY3Fe5O12ガーネット膜のスピン波計測
○弘中祐哉（日大理工・院（前）・電子）・芦澤好人・中川活二（日大理工・教員・電子）
○弘中祐哉（日大理工・院（前）・電子）・芦澤好人・中川活二（日大理工・教員・電子）
磁化動特性計測に向けたGdFeCoフェリ磁性薄膜における磁気光学応答のSiN光学変調誘電体層膜厚依存性と反射率の相関検討
○髙橋蒔生（日大理工・学部・電子）・吉川大貴・塚本 新（日大理工・教員・電子）
○髙橋蒔生（日大理工・学部・電子）・吉川大貴・塚本 新（日大理工・教員・電子）
熱酸化Si基板／Fe界面におけるFe化合物形成による磁気特性への寄与
○小松田恭祐（日大理工・学部・電子）・塚本 新（日大理工・教員・電子）
○小松田恭祐（日大理工・学部・電子）・塚本 新（日大理工・教員・電子）
Sn添加光CVDシリコン酸窒化膜のPL発光波長
○長谷川裕人（日大理工・院（前）・電子）・黒沢亮太・山本悦治（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
○長谷川裕人（日大理工・院（前）・電子）・黒沢亮太・山本悦治（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
光CVDシリコン窒化膜の界面準位密度に及ぼすPMA効果
○李 一博（日大理工・院（前）・電子）・鈴木 黎（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
○李 一博（日大理工・院（前）・電子）・鈴木 黎（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
高圧水蒸気中での陽極酸化法により成膜したシリコン酸化膜の特性評価
○角田将紀・堅田卓弥（日大理工・院（前）・電子）・伊藤隼雄（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
○角田将紀・堅田卓弥（日大理工・院（前）・電子）・伊藤隼雄（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
SiO2成膜中の温度変化が電気的ストレス耐性に及ぼす影響
○安田光保（日大理工・院（前）・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
○安田光保（日大理工・院（前）・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
SJ-MOSFETにおけるデバイス構造の検討
○中野敬介・古川遼太・安田光保（日大理工・院（前）・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
○中野敬介・古川遼太・安田光保（日大理工・院（前）・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
ソース不純物濃度がトンネルFETのID-VD特性に及ぼす影響
○三田梓郎・唐鎌亮太・岸 佳祐・山口直弥（日大理工・院（前）・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
○三田梓郎・唐鎌亮太・岸 佳祐・山口直弥（日大理工・院（前）・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
Mg2Si/Siヘテロ接合トンネルダイオードに関する検討
○山口直弥・唐鎌亮太・三田梓郎・岸 佳佑（日大理工・院（前）・電子）・菅 瑛斗・中野雄介（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
○山口直弥・唐鎌亮太・三田梓郎・岸 佳佑（日大理工・院（前）・電子）・菅 瑛斗・中野雄介（日大理工・学部・電子）・呉 研・高橋芳浩（日大理工・教員・電子）
Fin型トンネルFETのデバイスパラメータ依存性
○岸 佳佑・唐鎌亮太・三田梓郎・山口直弥（日大理工・院（前）・電子）・菅 瑛斗・中野雄介（日大理工・学部・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
○岸 佳佑・唐鎌亮太・三田梓郎・山口直弥（日大理工・院（前）・電子）・菅 瑛斗・中野雄介（日大理工・学部・電子）・高橋芳浩・呉 研（日大理工・教員・電子）
パルスレーザ堆積法を用いてサファイア基板上に堆積させた
YbFe2O4/Fe3O4積相膜の作製と電気特性
○山田隼平（日大理工•電子工学科）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○山田隼平（日大理工•電子工学科）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
DC-RFマグネトロンスパッタ法により作製したNi-Cu薄膜合金触媒の結晶性向上
○竹原広樹（日大理工・学部・電子）・鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○竹原広樹（日大理工・学部・電子）・鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
単層グラフェン作製のための転写行程の問題点
○小谷 匠（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）・竹原広樹（日大理工・学部・電子）・鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）
○小谷 匠（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）・竹原広樹（日大理工・学部・電子）・鈴木雅登（日大理工・院（前）・電子）
サファイア基板上での面内配向単層カーボンナノチューブ作製の試み
○笠上智矢（日大理工・学部・電子）
○笠上智矢（日大理工・学部・電子）
単層カーボンナノチューブ成長の触媒成膜時の引き上げ速度変化依存性
○小林隆之（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○小林隆之（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
高密度に面内配向した単層カーボンナノチューブ作製のための
ナノチューブ成長時温度の探索
○岸田武士（日大理工・学部・電子）・小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・笠上智矢（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
○岸田武士（日大理工・学部・電子）・小川恭正（日大理工・院（前）・電子）・笠上智矢（日大理工・学部・電子）・岩田展幸（日大理工・教員・電子）
YbFe2-xCuxO4の電気測定システム作製および電気特性
○徳永 聖・髙山虎之介（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○徳永 聖・髙山虎之介（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
YbFe2-xCuxO4多結晶試料作製及び電気特性
○高山虎之介・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○高山虎之介・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
電子型強誘電体YbFe２O４のHe-Neレーザー照射下電気特性
○本宮正隆・磯部響季・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○本宮正隆・磯部響季・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
電子型強誘電体YbFe2O4のArレーザー照射下の電気特性
○磯部響季・本宮正隆・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○磯部響季・本宮正隆・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
差動検出を用いた磁気光学効果測定システムの立ち上げ
○村山大成・大久保雄祐（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○村山大成・大久保雄祐（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
低温における磁気光学効果測定システムの立ち上げ
○大久保雄祐・村山大成（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○大久保雄祐・村山大成（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
還元雰囲気電気炉の立ち上げと電子型強誘電体YbFe2O4薄膜の作製
○二村 僚・高山虎之介・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）
○二村 僚・高山虎之介・徳永 聖（日大理工・学部・電子）・永田知子（日大理工・教員・電子）