日本大学理工学部
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2019年09月30日

メディア

「高速動作磁壁メモリの実現へ道筋」電子工学科 塚本新教授の共同研究成果が「NatureElectronics」誌に掲載、日本大学と京都大学の共同プレスリリースが行われました。

「フェリ磁性体における磁壁移動に対するスピン移行トルク効果を解明 ―反強磁性体を利用した高速動作磁壁メモリの実現へ道筋―」
電子工学科 塚本新教授、吉川大貴助手、二川康宏君(元電子工学専攻修士課程学生)らの、京都大学化学研究所研究グループ他との国際共同研究の成果が、9月19日付で国際科学誌「NatureElectronics」のオンライン版に掲載され、日本大学と京都大学の共同プレスリリースが行われました。

<プレスリリースより一部転載>
反強磁性的な磁化結合をもつフェリ磁性体の磁壁に対して、電流と磁化の相互作用であるスピン移行トルクが与える効果を実験および理論の両面から解明しました。本研究では、フェリ磁性合金ガドリニウム・鉄・コバルト(GdFeCo) の磁壁移動に対して、磁壁移動速度に占める非断熱スピン移行トルクの効果が大きいことを実証しました。本成果は、反強磁性体を利用した高速動作の磁壁メモリの実現へ向けた道筋となることが期待されます。

<背景> 磁壁レーストラックメモリは、電流を流した際にはたらくスピン移行トルクによって磁壁の位置を制御する事を基本動作とする、次世代型磁気メモリとして期待されています。近年、高速動作可能な磁壁メモリを実現するうえで、反強磁性体が有力な材料候補として精力的に研究されています。しかしながら、反強磁性体は自発磁化を持たないことから外部磁場による磁化制御が困難なため、反強磁性体の磁壁に作用するスピン移行トルクを実験的に調べた報告はこれまでありませんでした。

<論文情報>
「Spin-transfer torques for domain wall motion inantiferromagnetically coupled ferrimagnets」
Nature Electronics, volume 2, pages389–393 (2019).

「高速動作磁壁メモリの実現へ道筋」電子工学科 塚本新教授の共同研究成果が「NatureElectronics」誌に掲載、日本大学と京都大学の共同プレスリリースが行われました。